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    专利名称: FinFET及其制造方法
    专利类别: 发明专利
    申请号: 201510612319.4
    申请日期: 2012-11-30
    专利号: 201510612319.4
    第一发明人: 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲
    其它发明人:
    国外申请日期:
    国外申请方式:
    专利授权日期:
    缴费情况:
    实施情况: 授权
    专利证书号: 201510612319.4
    专利摘要:
    其它备注: 先导中心